GaN MISHEMT製程開發主題班
技術主題班簡介
| 產學研共育精進單位 | 工研院電子與光電系統研究所 半導體晶片與設計組 |
| 所屬計畫 | 半導體元件與晶片開發技術 ‹APDT11107› |
| 技術主題班數 | 2 |
| 技術主題班名稱 | GaN MISHEMT製程開發主題班 |
| 技術主題班簡介 | 本技術開發預計執行包含1. 6吋及破片GaN功率元件製程開發、2. 高精度(Å)蝕刻/沉積(ALE/ALD)先進技術、3. Schottky-gate & MISHEMT元件製程驗證，完成GaN Schottky-gate HEMT and MISHEMT元件開發。 |
前瞻實務人才員額
| 規劃申請前瞻實務人才 | 4 名 |
指導師簡介
| 指導師 | 部門 | 單位名稱 | 職稱 |
|---|---|---|---|
| 陳＊＊ | 工研院電光系統所 | 半導體晶片與設計組 | 專案經理 |
相關計畫
| 相關計畫名稱 | 經費來源 | 計畫規模 |
|---|---|---|
| GaN MISHEMT Device Fabrication Services | 業界委託研究案 |
規模經費(單位:千元)：3,000 規模研究人力(單位:人年)：2 |