半導體元件與晶片開發技術
計畫基本資訊
| 計畫名稱 | 半導體元件與晶片開發技術 |
| 計畫編號 | APDT11107 |
| 計畫執行期間 | 111 年 03 月 01 日 至 111 年 08 月 31 日 止 |
計畫摘要
本次「半導體產學研共育人才實務能力精進計畫」包含智慧決策(AI)晶片與智慧次系統方案兩大方向，進行【半導體元件與晶片開發技術】之計畫申請，以招募7名前瞻實務人才為目標。藉由本組之研發技術能量與資源，搭配以下二個計畫建立二大技術內容指導前瞻實務人才。
GaN 功率元件合作開發計畫(2/2) :『氮化鎵金屬-絕緣體-半導體高電子遷移率元件(GaN MISHEMT)製程開發主題班』。本主題聚焦於GaN MISHEMT的製程開發，包含光罩設計、製程開發及元件測試，以提升MISHEMT元件之功效為目標。
AI on Chip 終端智慧發展計畫(3/4) :『新興運算架構AI晶片技術主題班』。本主題聚焦於開發低功耗高算力的AI晶片與相關語音辨識及感測技術，以整合一類神經網路的加速器及SoC為目標。
計畫主持人與聯絡人
技術主題班資訊
| 技術主題班數 | 2 |
| 技術主題班名稱 | GaN MISHEMT製程開發主題班 |
| 技術主題班簡介 | 本技術開發預計執行包含1. 6吋及破片GaN功率元件製程開發、2. 高精度(Å)蝕刻/沉積(ALE/ALD)先進技術、3. Schottky-gate & MISHEMT元件製程驗證，完成GaN Schottky-gate HEMT and MISHEMT元件開發。 |
| 技術主題班名稱 | 新興運算架構AI晶片技術主題班 |
| 技術主題班簡介 | 本計畫規劃配合經濟部推動之「AI on Chip 終端智慧發展計畫」計畫，仿照人腦運算型態，打造記憶體內運算及類比運算技術，並發展前瞻的晶片架構及材料，完成高運算能效的新興運算架構AI晶片及多層網路於單一晶片之整合，可展示高能效之表現及推展新運算架構，並協助本國IC設計產業未來在新興運算架構發展奠基。 |